Descripción
Otras características:
Buffered memory type: Unregistered (unbuffered)
Componente para: Portátil
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
ECC: No
Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM
Latencia CAS: 9
Memoria interna: 4 GB
Organización de los chips: 512Mx64
Tipo de embalaje: SO-DIMM
Tipo de memoria interna: DDR3
Velocidad de memoria del reloj: 1333 MHz
Voltaje de memoria: 1.5 V
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Samsung 4GB DDR3 1333MHz Unbuffered SODIMM. Memoria interna: 4 GB
Tipo de memoria interna: DDR3
Velocidad de memoria del reloj: 1333 MHz. Organización de chips: 512 x 64 mm.
