Descripción
Unidad de estado sólido de 2,5» de Toshiba
Flash tipo NAND 15 nm de 3 bits por celda, 7 mm de grosor
Tecnología SLC Write Cache
Arranque y funcionamiento de alta velocidad

Unidad de estado sólido de 2,5» de Toshiba
Flash tipo NAND 15 nm de 3 bits por celda, 7 mm de grosor
Tecnología SLC Write Cache
Arranque y funcionamiento de alta velocidad
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